SK Hynix inwestuje w USA i rozważa Japonię jako kolejny hub produkcji pamięci

SK Hynix, południowokoreański producent pamięci, rozpoczął budowę swojego pierwszego zakładu w Stanach Zjednoczonych, zlokalizowanego w West Lafayette w stanie Indiana. Inwestycja o wartości około 4 miliardów dolarów obejmuje budowę zaawansowanego zakładu pakowania pamięci oraz centrum badawczo-rozwojowego. Zakład ma stać się kluczową bazą produkcji pamięci o wysokiej przepustowości (HBM) w USA do 2030 roku.

Budowa rozpoczęła się w kwietniu 2026 roku, a oficjalna ceremonia wmurowania kamienia węgielnego odbyła się 27 sierpnia 2026 roku. Zakład powstaje na terenie kampusu badawczego Purdue Research Park, zajmującym 133 akry. Pierwsza czysta sala produkcyjna, gdzie będzie odbywać się pakowanie chipów, ma zostać otwarta w październiku 2028 roku, a masowa produkcja zaplanowana jest na drugą połowę 2029 roku.

Zakres inwestycji i znaczenie zakładu w Indianie

Zakład w Indianie będzie zajmował się pakowaniem pamięci, czyli etapem, w którym wyprodukowane w Korei Południowej i Chinach chipy pamięci są układane i łączone w moduły HBM. SK Hynix jest liderem rynku HBM i realizuje rozbudowę o wartości 720 miliardów dolarów, z czego większość inwestycji koncentruje się w Korei Południowej, gdzie powstaje największy kampus produkcji pamięci na świecie.

W ramach inwestycji w USA SK Hynix otrzyma do 458 milionów dolarów z funduszy federalnych CHIPS Act oraz pakiet zachęt stanowych o wartości do 712 milionów dolarów, co jest drugim co do wielkości wsparciem w historii stanu Indiana. Firma przewiduje, że do 2030 roku łączne inwestycje i aktywa w USA przekroczą 45 miliardów dolarów, wliczając w to m.in. spółkę zależną Solidigm, powstałą po przejęciu biznesu NAND Intela za 9 miliardów dolarów w 2020 roku.

Zakład ma zatrudnić około 1000 pracowników na stałe oraz dodatkowo około 6000 osób związanych z budową i partnerami biznesowymi. W początkowym okresie planowane jest tymczasowe zatrudnienie pracowników z Korei Południowej, jednak docelowo stanowiska mają być obsadzone przez pracowników z USA, w tym absolwentów Purdue University, które posiada kierunki związane z półprzewodnikami.

Współpraca z Purdue University obejmuje także budowę centrum badawczo-rozwojowego, gdzie kluczowi klienci z branży AI będą mogli współpracować z SK Hynix nad rozwojem technologii pamięci. Jednym z partnerów jest firma Nvidia, która zobowiązała się do współpracy przy opracowywaniu pamięci w ramach umowy o wartości 500 miliardów dolarów z SK Group.

Plany ekspansji w Japonii i perspektywy rynku pamięci

Poza inwestycjami w USA, SK Hynix rozważa Japonię jako kolejny potencjalny hub produkcji chipów pamięci. Firma prowadzi rozmowy dotyczące budowy zakładów produkcyjnych oraz przejęć lokalnych przedsiębiorstw. Wybór lokalizacji w Japonii będzie uwzględniał dostęp do zasobów takich jak energia i woda.

SK Hynix jest największym udziałowcem japońskiego producenta pamięci NAND, firmy Kioxia, i prowadzi działania mające na celu wspólny rozwój rynku NAND flash z klientami i dostawcami. W Japonii firma współpracuje z dostawcami takimi jak Namics i Tokyo Electron oraz klientami, w tym Sony i Nintendo. Również konkurent SK Hynix, firma Micron, posiada zakład produkcyjny w Hiroshimie.

Rząd Japonii planuje udzielać dużych dotacji zagranicznym producentom chipów, którzy zwiększą krajową produkcję, co jest czynnikiem przyciągającym SK Hynix do rozwoju działalności w tym kraju.

Według wypowiedzi CEO SK Hynix, Kwak Noh-Junga, obecny kryzys na rynku pamięci, wywołany rosnącym popytem na pamięci HBM i NAND związanym z rozwojem sztucznej inteligencji i centrów danych, będzie trwał do końca 2030 roku. Po tym okresie spodziewane jest stopniowe zmniejszanie się popytu, bez gwałtownego spadku. W 2027 roku, według CEO, sytuacja pod względem podaży będzie najtrudniejsza w historii branży, mimo planowanego wzrostu produkcji o 12%.

SK Hynix, wraz z konkurentami Samsung i Micron, inwestuje znaczne środki w rozbudowę mocy produkcyjnych, w tym w nowe fabryki w Korei Południowej oraz w USA. W Korei powstają m.in. zakłady DRAM/HBM w Yongin oraz fabryka NAND w Cheongju, które mają rozpocząć produkcję w 2029 roku.

Firma jest notowana na giełdzie koreańskiej oraz od lipca 2026 roku na Nasdaq, gdzie pozyskała 26,5 miliarda dolarów, co jest najwyższą kwotą pozyskaną przez zagraniczną spółkę na rynku amerykańskim.

Inwestycje SK Hynix w USA i rozważane działania w Japonii wpisują się w strategię rozszerzania obecności na rynkach kluczowych dla rozwoju technologii pamięci, zwłaszcza w kontekście rosnącego zapotrzebowania na pamięci dla sztucznej inteligencji i centrów danych.

W Indianie powstaje zakład, który ma produkować moduły HBM poprzez zaawansowane pakowanie chipów wyprodukowanych w Azji, a w Japonii firma prowadzi rozmowy o budowie zakładów i współpracy z lokalnymi partnerami. W obu krajach SK Hynix planuje rozwijać swoje moce produkcyjne i badawcze, aby sprostać rosnącym wymaganiom rynku pamięci.